单多晶硅片性能对比

    单晶硅片与多晶硅片在晶体品质、电学性能、机械性能方面有显著差异。下面的图1是晶体硅光伏产业链的完整图示，从硅料到硅棒、硅片、电池、组件再到系统。如图中红色边框标示，单晶和多晶的差别主要在于原材料的制备方面，单晶是直拉提升法，多晶是铸锭方法，后端制造工艺只有一些细微差别。

   ; 硅片性质的差异性是决定单晶和多晶系统性能差异的关键。左图是单晶硅片，是一种完整的晶格排列；右图是多晶硅片，它是多个微小的单晶的组合，中间有大量的晶界，包含了很多的缺陷，它实际上是一个少子复合中心，因此降低了多晶电池的转换效率。另一方面，单晶硅片的位错密度和金属杂质比多晶硅片小得多，各种因素综合作用使得单晶的少子寿命比多晶高出数十倍，从而表现出转换效率优势。

    单晶是一种完整的晶格排列，在同样的切片工艺条件下表面缺陷少于多晶，在电池制造环节，单晶电池的碎片率也是小于1%的，通常情况下是0.8%左右。单晶硅片可以稳定应用金刚线切割工艺，显著降低切片成本，并提高电池转换效率。对多晶而言，晶体结构的缺陷导致在电池环节的碎片率一般大于2%，并且硅片切割工艺的改进难度很大，因为它没法用金刚线切割，只能用传统的砂线来切，成本上基本没有多大的下降空间。

    电学性能差异是单多晶的少子寿命对比。蓝色代表少子寿命较高的区域，红色代表少子寿命较低的区域。很明显，单晶的少子寿命是明显高于多晶的。

    可以看出，多晶硅片的最大弯曲位移比单晶硅片低1/4，因此在电池的生产和运输过程中更容易破碎。我们今天讲电站的质量问题，很重要的一点，组件在运输安装过程中可能产生电池片破碎、隐裂等问题，相对多晶而言，单晶在运输中的抗破坏性能比较好。另外，在电站长期的高低温交替过程中，多晶组件更容易发生隐裂，这样就降低了组件的输出功率。

    晶硅电池发展历程

    1839年，法国科学家贝克雷尔发现液体的光生伏特效应。

    1917年，波兰科学家切克劳斯基发明CZ技术，后经改良发展成为太阳能用单晶硅的主要制备方法。

    1941年，奥尔在硅材料上发现了光伏效应。

    1954年，美国科学家恰宾和皮尔松在美国贝尔实验室首次制成了实用的单晶硅太阳能电池。

    1955-1975年，由于单晶电池成本较高，产业界不断致力于降低晶体制造成本，并提出铸锭单晶工艺。

    1976年，铸锭单晶技术失败，德国瓦克公司率先将铸锭多晶用于太阳能电池生产，牺牲晶体品质以降低发电成本。

    2005-2010年，多晶电池技术基于相对便宜的成本快速扩大份额。

    2013年，松下HIT单晶电池转换效率达到25.6%，突破了光伏产业界最高理论效率极限，人们再次评估各种技术的性能和成本区间。

    2013-2015年，连续快速拉晶技术和金刚线切片技术的导入使得单晶组件成本与多晶组件成本差距缩小到3%以内，采用单晶组件与采用多晶组件的电站单位投资成本持平。

预计到2016年，随着PERC等高效技术的应用，单晶组件与多晶组件成本将达到一致。

    转换效率对比

    影响转换效率的3项主要参数是：Voc(开路电压)、Isc(短路电流)、FF(填充因子)，公式为：Eta=Voc×Isc×FF

从光电转换效率参数分解来看，单晶电池的各项参数全面领先于多晶，详见表1。一般来讲目前工艺下国内单晶电池量产效率是19.55%左右，做得好的话可以达到19.8%-19.9%，取决于它是三栅线还是四栅线；多晶电池量产效率一般是18.12%左右。

    资讯来源 光伏电缆 江苏赛德电气有限公司